Transistor bipolaire MJD127T4

Caractéristiques électriques du transistor MJD127T4

  • Type de transistor: PNP
  • Tension collecteur-émetteur maximum: -100 V
  • Tension collecteur-base maximum: -100 V
  • Tension émetteur-base maximum: -5 V
  • Courant collecteur continu maximum: -8 A
  • Dissipation de puissance maximum: 20 W
  • Gain de courant (hfe): 1000 à 12000
  • Fréquence de transition minimum: 4 MHz
  • Température de stockage et de fonctionnement: -65 to +150 °C
  • Boîtier: TO-252
  • Electrically Similar to the Popular TIP127 transistor

Brochage du MJD127T4

Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.

Marquage

Le transistor MJD127T4 est marqué "J127".

Substituts et équivalents pour le transistor MJD127T4

Vous pouvez remplacer le transistor MJD127T4 par MJD127, MJD127G ou MJD127T4G.

Version sans plomb

Le transistor MJD127T4G est la version sans plomb du MJD127T4.
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