Transistor bipolaire MJD112G

• Type de transistor: NPN
• Tension collecteur-émetteur maximum: 100 V
• Tension collecteur-base maximum: 100 V
• Tension émetteur-base maximum: 5 V
• Courant collecteur continu maximum: 2 A
• Dissipation de puissance maximum: 20 W
• Gain de courant (h_fe): 1000 à 12000
• Fréquence de transition minimum: 25 MHz
• Température de stockage et de fonctionnement: -65 to +150 °C
• Boîtier: TO-252
• Electrically Similar to the Popular TIP112 transistor
• Le MJD112G est la version sans plomb du transistor MJD112

Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.Le transistor MJD112G est marqué "J112G".Le transistor PNP complémentaire du MJD112G est le MJD117G.Le FMMT624 (SOT-23) et FZT694B (SOT-223) est la version SMD du transistor MJD112G.Vous pouvez remplacer le transistor MJD112G par MJD112, MJD112T4, MJD112T4G, MJD122, MJD122G, MJD122T4 ou MJD122T4G.