Transistor bipolaire MJD117T4

• Type de transistor: PNP
• Tension collecteur-émetteur maximum: -100 V
• Tension collecteur-base maximum: -100 V
• Tension émetteur-base maximum: -5 V
• Courant collecteur continu maximum: -2 A
• Dissipation de puissance maximum: 20 W
• Gain de courant (h_fe): 1000 à 12000
• Fréquence de transition minimum: 25 MHz
• Température de stockage et de fonctionnement: -65 to +150 °C
• Boîtier: TO-252
• Electrically Similar to the Popular TIP117 transistor

Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.Le transistor MJD117T4 est marqué "J117".Vous pouvez remplacer le transistor MJD117T4 par MJD117, MJD117G, MJD117T4G, MJD127, MJD127G, MJD127T4 ou MJD127T4G.Le transistor MJD117T4G est la version sans plomb du MJD117T4.