Transistor bipolaire MJD127G

• Type de transistor: PNP
• Tension collecteur-émetteur maximum: -100 V
• Tension collecteur-base maximum: -100 V
• Tension émetteur-base maximum: -5 V
• Courant collecteur continu maximum: -8 A
• Dissipation de puissance maximum: 20 W
• Gain de courant (h_fe): 1000 à 12000
• Fréquence de transition minimum: 4 MHz
• Température de stockage et de fonctionnement: -65 to +150 °C
• Boîtier: TO-252
• Electrically Similar to the Popular TIP127 transistor
• Le MJD127G est la version sans plomb du transistor MJD127

Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.Le transistor MJD127G est marqué "J127G".Le transistor NPN complémentaire du MJD127G est le MJD122G.Vous pouvez remplacer le transistor MJD127G par MJD127, MJD127T4 ou MJD127T4G.