Transistor bipolaire MJD112

• Type de transistor: NPN
• Tension collecteur-émetteur maximum: 100 V
• Tension collecteur-base maximum: 100 V
• Tension émetteur-base maximum: 5 V
• Courant collecteur continu maximum: 2 A
• Dissipation de puissance maximum: 20 W
• Gain de courant (h_fe): 1000 à 12000
• Fréquence de transition minimum: 25 MHz
• Température de stockage et de fonctionnement: -65 to +150 °C
• Boîtier: TO-252
• Electrically Similar to the Popular TIP112 transistor

Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.Le transistor MJD112 est marqué "J112".Le transistor PNP complémentaire du MJD112 est le MJD117.Le FMMT624 (SOT-23) et FZT694B (SOT-223) est la version SMD du transistor MJD112.Vous pouvez remplacer le transistor MJD112 par MJD112G, MJD112T4, MJD112T4G, MJD122, MJD122G, MJD122T4 ou MJD122T4G.Le transistor MJD112G est la version sans plomb du MJD112.