Transistor bipolaire 2N5067

Caractéristiques électriques du transistor 2N5067

  • Type de transistor: NPN
  • Tension collecteur-émetteur maximum: 40 V
  • Tension collecteur-base maximum: 40 V
  • Tension émetteur-base maximum: 5 V
  • Courant collecteur continu maximum: 5 A
  • Dissipation de puissance maximum: 87.5 W
  • Gain de courant (hfe): 20 à 80
  • Fréquence de transition minimum: 4 MHz
  • Température de stockage et de fonctionnement: -65 to +200 °C
  • Boîtier: TO-3

Brochage du 2N5067

Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.

Complémentaire du transistor 2N5067

Le transistor PNP complémentaire du 2N5067 est le 2N4901.

Substituts et équivalents pour le transistor 2N5067

Vous pouvez remplacer le transistor 2N5067 par 2N5068, 2N5069, 2N5869, 2N5870, 2N5873, 2N5874, 2N5877, 2N5878, 2N5881, 2N5882, 2N5885, 2N5885G, 2N5886, 2N5886G, 2N6315, 2N6316, 2N6470, 2N6471, 2N6472, 2SC1618, 2SC1619, BDW51, KD501, KD502, KD503, MJ14000, MJ14000G, MJ14002, MJ14002G, MJ2840 ou MJ2841.
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