Transistor bipolaire 2N5069

Caractéristiques électriques du transistor 2N5069

  • Type de transistor: NPN
  • Tension collecteur-émetteur maximum: 80 V
  • Tension collecteur-base maximum: 80 V
  • Tension émetteur-base maximum: 5 V
  • Courant collecteur continu maximum: 5 A
  • Dissipation de puissance maximum: 87.5 W
  • Gain de courant (hfe): 20 à 80
  • Fréquence de transition minimum: 4 MHz
  • Température de stockage et de fonctionnement: -65 to +200 °C
  • Boîtier: TO-3

Brochage du 2N5069

Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.

Complémentaire du transistor 2N5069

Le transistor PNP complémentaire du 2N5069 est le 2N4903.

Substituts et équivalents pour le transistor 2N5069

Vous pouvez remplacer le transistor 2N5069 par 2N5038, 2N5038G, 2N5039, 2N5630, 2N5633, 2N5671, 2N5672, 2N5759, 2N5870, 2N5874, 2N5878, 2N5882, 2N5886, 2N5886G, 2N6316, 2N6472, 2SC1619, KD503, MJ14002, MJ14002G ou MJ2841.
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