Bipolartransistor KSD882-R

Elektrische Eigenschaften des Transistors KSD882-R

  • Typ: NPN
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: 30 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: 40 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: 5 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 3 A
  • Verlustleistung, max: 10 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 60 bis 120
  • Übergangsfrequenz, min: 90 MHz
  • Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
  • Gehäuse: TO-126
  • Electrically Similar to the Popular 2SD882R transistor

Pinbelegung des KSD882-R

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Klassifizierung von hFE

Der Transistor KSD882-R kann eine Gleichstromverstärkung von 60 bis 120 haben. Die Gleichstromverstärkung des KSD882 liegt im Bereich von 60 bis 400, die des KSD882-G im Bereich von 200 bis 400, die des KSD882-O im Bereich von 100 bis 200, die des KSD882-Y im Bereich von 160 bis 320.

Komplementärer PNP-Transistor

Der komplementäre PNP-Transistor zum KSD882-R ist der KSB772-R.

Ersatz und Äquivalent für Transistor KSD882-R

Sie können den Transistor KSD882-R durch einen 2N4921, 2N4921G, 2N4922, 2N4922G, 2SD793, 2SD793-R, 2SD794, 2SD794-R, 2SD794A, 2SD794A-R, 2SD882, 2SD882R, BD131, BD175, BD177, BD185, BD187, BD189, BD435, BD435G, BD437, BD437G, BD439, BD439G, BD785, BD787, BD787G, BDX35, BDX36, KSD794, KSD794-R, KSD794A, KSD794A-R, KSE180, KSE181, KSH882, KSH882-R, MJE180, MJE180G, MJE181, MJE181G, MJE220, MJE221, MJE222, MJE223, MJE224, MJE225 oder MJE520 ersetzen.
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