Bipolartransistor 2N4922G

Elektrische Eigenschaften des Transistors 2N4922G

  • Typ: NPN
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: 60 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: 60 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: 5 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 4 A
  • Verlustleistung, max: 30 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 30 bis 150
  • Übergangsfrequenz, min: 3 MHz
  • Lager- und Betriebstemperatur: -65 to +150 °C
  • Gehäuse: TO-126

Pinbelegung des 2N4922G

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Komplementärer PNP-Transistor

Der komplementäre PNP-Transistor zum 2N4922G ist der 2N4919G.

Ersatz und Äquivalent für Transistor 2N4922G

Sie können den Transistor 2N4922G durch einen 2N4922, 2N4923, 2N4923G, MJE225, MJE242 oder MJE244 ersetzen.
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