Bipolartransistor BDV94

Elektrische Eigenschaften des Transistors BDV94

  • Typ: PNP
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: -80 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: -80 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: -7 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -10 A
  • Verlustleistung, max: 100 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 20
  • Übergangsfrequenz, min: 4 MHz
  • Lager- und Betriebstemperatur: -65 to +150 °C
  • Gehäuse: TO-3P

Pinbelegung des BDV94

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Komplementärer NPN-Transistor

Der komplementäre NPN-Transistor zum BDV94 ist der BDV93.

Ersatz und Äquivalent für Transistor BDV94

Sie können den Transistor BDV94 durch einen 2SA1106, 2SA1146, 2SA1146-O, 2SA1146-R, 2SA1146-Y, 2SA1186, 2SA1186-O, 2SA1186-P, 2SA1186-Y, 2SA1265, 2SA1265-O, 2SA1265-R, 2SA1301, 2SA1301O, 2SA1301R, 2SA1303, 2SA1303-O, 2SA1303-P, 2SA1303-Y, 2SA1386, 2SA1386-O, 2SA1386-P, 2SA1386-Y, 2SA1491, 2SA1491-O, 2SA1491-P, 2SA1491-Y, 2SA1633, 2SA1633-D, 2SA1633-E, 2SA1633-F, 2SA1695, 2SA1695-O, 2SA1695-P, 2SA1695-Y, 2SA1805, 2SA1941, 2SA1941O, 2SA1941R, 2SA1942, 2SA1942O, 2SA1942R, 2SA2062, 2SA2063, 2SB1162, 2SB1162-P, 2SB1162-Q, 2SB1162-S, 2SB1230, 2SB1230-P, 2SB1230-Q, 2SB1231, 2SB1231-P, 2SB1231-Q, 2SB1232, 2SB1232-P, 2SB1232-Q, 2SB1560, 2SB1560-O, 2SB1560-P, 2SB1560-Y, 2SB778, 2SB778-O, 2SB778-R, 2SB817, 2SB817-D, 2SB817-E, 2SB817C, 2SB863, 2SB863-O, 2SB863-R, 2SB887, BD246B, BD246C, BD250B, BD250C, BD746B, BD746C, BDV64B, BDV64BG, BDV66A, BDV66B, BDV66C, BDV66D, BDV96, BDW84B, BDW84C, BDW84D, FJA4210, FJA4210O, FJA4210R, FJA4210Y, KTB688, KTB688-O, KTB688-R, KTB688B, KTB688B-O, KTB688B-R, KTB778, KTB778-O, KTB778-R, KTB817, KTB817-O, KTB817-Y, KTB817B, KTB817B-O, KTB817B-Y, MJH11017, MJH11017G, MJH6286, MJH6287, MJH6287G, NTE391, TIP146, TIP146G, TIP147, TIP147G, TIP34B, TIP34C, TTA0001 oder TTA0002 ersetzen.
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