Bipolartransistor BD246B

Elektrische Eigenschaften des Transistors BD246B

Typ: PNP
Kollektor-Emitter-Spannung, max: -80 V
Kollektor-Basis-Spannung, max: -90 V
Emitter-Basis-Spannung, max: -5 V
Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -15 A
Verlustleistung, max: 80 W
Gleichstromverstärkung (h_fe): 40
Übergangsfrequenz, min: 3 MHz
Lager- und Betriebstemperatur: -65 to +150 °C
Gehäuse: TO-3P

Pinbelegung des BD246B

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Komplementärer NPN-Transistor

Der komplementäre NPN-Transistor zum BD246B ist der BD245B.

Ersatz und Äquivalent für Transistor BD246B

Sie können den Transistor BD246B durch einen 2SA1386, 2SA1386-O, 2SA1386-P, 2SA1386-Y, 2SB1230, 2SB1230-P, 2SB1230-Q, 2SB1231, 2SB1231-P, 2SB1231-Q, 2SB1232, 2SB1232-P, 2SB1232-Q, BD246C, BDV66A, BDV66B, BDV66C, BDV66D, BDW84B, BDW84C, BDW84D, MJH11017, MJH11017G, MJH6286, MJH6287, MJH6287G, TTA0001 oder TTA0002 ersetzen.

Equivalent

Same transistor is also available in:

TO-220 package, BD244A: 65 watts
TO-3P package, BD245: 80 watts
TO-3P package, BD245C: 80 watts
TO-3P package, BD249B: 125 watts
TO-3P package, BD250: 125 watts

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