Bipolartransistor 2SB1230-Q

• Typ: PNP
• Kollektor-Emitter-Spannung, max: -100 V
• Kollektor-Basis-Spannung, max: -110 V
• Emitter-Basis-Spannung, max: -6 V
• Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -15 A
• Verlustleistung, max: 100 W
• Gleichstromverstärkung (h_fe): 70 bis 140
• Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
• Gehäuse: TO-3P

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.Der Transistor 2SB1230-Q kann eine Gleichstromverstärkung von 70 bis 140 haben. Die Gleichstromverstärkung des 2SB1230 liegt im Bereich von 50 bis 140, die des 2SB1230-P im Bereich von 50 bis 100.Manchmal ist das Präfix "2S" nicht auf dem Gehäuse angegeben - der 2SB1230-Q-Transistor könnte nur mit "B1230-Q" gekennzeichnet sein.Der komplementäre NPN-Transistor zum 2SB1230-Q ist der 2SD1840-Q.Sie können den Transistor 2SB1230-Q durch einen 2SA1302, 2SA1386, 2SA1386-P, 2SA1386A, 2SA1386A-O, 2SA1386A-P, 2SA1386A-Y, 2SA1492, 2SA1492-P, 2SA2121, 2SA2151, 2SA2151-P, 2SB1163, 2SB1231, 2SB1231-Q, 2SB1232, 2SB1232-Q, 2SB1429, BD246C, BD250C, BD746C, NTE2329 oder TIP36CA ersetzen.