Bipolartransistor MJH11017

Elektrische Eigenschaften des Transistors MJH11017

  • Typ: PNP
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: -150 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: -150 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: -5 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -15 A
  • Verlustleistung, max: 150 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 400 bis 15000
  • Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
  • Gehäuse: TO-247

Pinbelegung des MJH11017

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Komplementärer NPN-Transistor

Der komplementäre NPN-Transistor zum MJH11017 ist der MJH11018.

Ersatz und Äquivalent für Transistor MJH11017

Sie können den Transistor MJH11017 durch einen MJH11017G, MJH11019, MJH11019G, MJH11021 oder MJH11021G ersetzen.

Bleifreie Version

Der MJH11017G-Transistor ist die bleifreie Version des MJH11017.
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