Bipolartransistor KTB817B-O

• Typ: PNP
• Kollektor-Emitter-Spannung, max: -140 V
• Kollektor-Basis-Spannung, max: -160 V
• Emitter-Basis-Spannung, max: -6 V
• Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -12 A
• Verlustleistung, max: 100 W
• Gleichstromverstärkung (h_fe): 60 bis 120
• Übergangsfrequenz, min: 15 MHz
• Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
• Gehäuse: TO-3P
• Electrically Similar to the Popular 2SB817-D transistor

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.Der Transistor KTB817B-O kann eine Gleichstromverstärkung von 60 bis 120 haben. Die Gleichstromverstärkung des KTB817B liegt im Bereich von 60 bis 200, die des KTB817B-Y im Bereich von 100 bis 200.Sie können den Transistor KTB817B-O durch einen 2SA1294, 2SA1301, 2SA1302, 2SA1303, 2SA1386, 2SA1386A, 2SA1386A-O, 2SA1386A-P, 2SA1386A-Y, 2SA1492, 2SA1516, 2SA1942, 2SA1943, 2SA1962, 2SA1986, 2SA2063, 2SA2120, 2SA2121, 2SA2151, 2SA2151A, 2SA2151A-O, 2SA2151A-P, 2SA2151A-Y, 2SA2223, 2SA2223A, 2SB1162, 2SB1162-Q, 2SB1163, 2SB1163-Q, 2SB1429, 2SB817, 2SB817-D, FJA4213, FJL4215, KTA1943, KTA1943A, KTA1962, KTA1962A, KTB817, KTB817-O, MAG9413, MJW1302A, MJW1302AG oder NTE2329 ersetzen.