Bipolartransistor FJA4210

Elektrische Eigenschaften des Transistors FJA4210

  • Typ: PNP
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: -140 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: -200 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: -6 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -10 A
  • Verlustleistung, max: 100 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 50 bis 180
  • Übergangsfrequenz, min: 30 MHz
  • Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
  • Gehäuse: TO-3P

Pinbelegung des FJA4210

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Klassifizierung von hFE

Der Transistor FJA4210 kann eine Gleichstromverstärkung von 50 bis 180 haben. Die Gleichstromverstärkung des FJA4210O liegt im Bereich von 70 bis 140, die des FJA4210R im Bereich von 50 bis 100, die des FJA4210Y im Bereich von 90 bis 180.

Komplementärer NPN-Transistor

Der komplementäre NPN-Transistor zum FJA4210 ist der FJA4310.

Ersatz und Äquivalent für Transistor FJA4210

Sie können den Transistor FJA4210 durch einen 2SA1106, 2SA1186, 2SA1303, 2SA1386, 2SA1386A, 2SA1386A-O, 2SA1386A-P, 2SA1386A-Y, 2SA1491, 2SA1492, 2SA1695, 2SA2151, 2SA2151A, 2SA2151A-O, 2SA2151A-P, 2SA2151A-Y, MJW1302A oder MJW1302AG ersetzen.
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