Bipolartransistor KTB817B-Y

Elektrische Eigenschaften des Transistors KTB817B-Y

  • Typ: PNP
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: -140 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: -160 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: -6 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -12 A
  • Verlustleistung, max: 100 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 100 bis 200
  • Übergangsfrequenz, min: 15 MHz
  • Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
  • Gehäuse: TO-3P
  • Electrically Similar to the Popular 2SB817-E transistor

Pinbelegung des KTB817B-Y

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Klassifizierung von hFE

Der Transistor KTB817B-Y kann eine Gleichstromverstärkung von 100 bis 200 haben. Die Gleichstromverstärkung des KTB817B liegt im Bereich von 60 bis 200, die des KTB817B-O im Bereich von 60 bis 120.

Ersatz und Äquivalent für Transistor KTB817B-Y

Sie können den Transistor KTB817B-Y durch einen 2SB1162, 2SB1162-P, 2SB1163, 2SB1163-P, 2SB817, 2SB817-E, 2SB817C, KTB817, KTB817-Y, MJW1302A oder MJW1302AG ersetzen.
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