Bipolartransistor BC559A

Elektrische Eigenschaften des Transistors BC559A

  • Typ: PNP
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: -30 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: -30 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: -5 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -0.1 A
  • Verlustleistung, max: 0.5 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 110 bis 220
  • Übergangsfrequenz, min: 150 MHz
  • Rauschzahl, max: 1 dB
  • Lager- und Betriebstemperatur: -65 to +150 °C
  • Gehäuse: TO-92

Pinbelegung des BC559A

Der BC559A wird in einem TO-92-Gehäuse aus Kunststoff hergestellt. Betrachtet man die flache Seite mit den Leitungen nach unten, so sind die drei aus dem Transistor austretenden Leitungen, von links nach rechts, die Kollektor-, Basis- und Emitterleitung.
Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Klassifizierung von hFE

Der Transistor BC559A kann eine Gleichstromverstärkung von 110 bis 220 haben. Die Gleichstromverstärkung des BC559 liegt im Bereich von 110 bis 800, die des BC559B im Bereich von 200 bis 450, die des BC559C im Bereich von 420 bis 800.

Komplementärer NPN-Transistor

Der komplementäre NPN-Transistor zum BC559A ist der BC549A.

SMD-Version des Transistors BC559A

Der BC858 (SOT-23), BC858A (SOT-23), BC858AW (SOT-323), BC858W (SOT-323), BC859 (SOT-23), BC859A (SOT-23), BC859AW (SOT-323) und BC859W (SOT-323) ist die SMD-Version des BC559A-Transistors.

Ersatz und Äquivalent für Transistor BC559A

Sie können den Transistor BC559A durch einen 2N5375, 2N5823, BC327, BC327-16, BC446, BC486, BC486A, BC488, BC488A, BC557, BC557A, BC558, BC558A, BC560 oder BC560A ersetzen.
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