Bipolartransistor BC858AW

Elektrische Eigenschaften des Transistors BC858AW

  • Typ: PNP
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: -30 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: -30 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: -5 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -0.1 A
  • Verlustleistung, max: 0.2 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 110 bis 220
  • Übergangsfrequenz, min: 150 MHz
  • Rauschzahl, max: 2 dB
  • Lager- und Betriebstemperatur: -65 to +150 °C
  • Gehäuse: SOT-323

Pinbelegung des BC858AW

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Klassifizierung von hFE

Der Transistor BC858AW kann eine Gleichstromverstärkung von 110 bis 220 haben. Die Gleichstromverstärkung des BC858BW liegt im Bereich von 200 bis 450, die des BC858CW im Bereich von 420 bis 800, die des BC858W im Bereich von 110 bis 800.

Komplementärer NPN-Transistor

Der komplementäre NPN-Transistor zum BC858AW ist der BC848AW.

Ersatz und Äquivalent für Transistor BC858AW

Sie können den Transistor BC858AW durch einen 2SA1586, 2SA1588, BC807-16W, BC807W, BC857AW, BC857W, BC859AW, BC859W, BC860AW, BC860W, FJX1182, FJX2907A, FJX3906, FJX733, KTN2907AU, KTN2907U, MMBT3906WT1, MMBT3906WT1G, MMST2907A, MMST3906, MMST4403, PMST3906 oder PMST4403 ersetzen.
Wenn Sie einen Fehler finden, senden Sie bitte eine E-Mail an mail@el-component.com