Bipolartransistor 2SB966-R

Elektrische Eigenschaften des Transistors 2SB966-R

  • Typ: PNP
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: -120 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: -120 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: -5 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -8 A
  • Verlustleistung, max: 80 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 60 bis 120
  • Übergangsfrequenz, min: 65 MHz
  • Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
  • Gehäuse: TO-3P

Pinbelegung des 2SB966-R

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Klassifizierung von hFE

Der Transistor 2SB966-R kann eine Gleichstromverstärkung von 60 bis 120 haben. Die Gleichstromverstärkung des 2SB966 liegt im Bereich von 60 bis 320, die des 2SB966-P im Bereich von 160 bis 320, die des 2SB966-Q im Bereich von 100 bis 200.

Kennzeichnung

Manchmal ist das Präfix "2S" nicht auf dem Gehäuse angegeben - der 2SB966-R-Transistor könnte nur mit "B966-R" gekennzeichnet sein.

Komplementärer NPN-Transistor

Der komplementäre NPN-Transistor zum 2SB966-R ist der 2SD1289-R.

Ersatz und Äquivalent für Transistor 2SB966-R

Sie können den Transistor 2SB966-R durch einen 2SA1093, 2SA1104, 2SA1105, 2SA1106, 2SA1146, 2SA1186, 2SA1264, 2SA1264-O, 2SA1264N, 2SA1264N-O, 2SA1265, 2SA1265-O, 2SA1294, 2SA1301, 2SA1302, 2SA1303, 2SA1386, 2SA1386A, 2SA1386A-O, 2SA1386A-P, 2SA1386A-Y, 2SA1490, 2SA1491, 2SA1492, 2SA1516, 2SA1633, 2SA1633-D, 2SA1694, 2SA1695, 2SA1788, 2SA1788-D, 2SA1804, 2SA1805, 2SA1940, 2SA1941, 2SA1942, 2SA1943, 2SA1986, 2SA2062, 2SA2063, 2SA2120, 2SA2121, 2SA2151, 2SA2151A, 2SA2151A-O, 2SA2151A-P, 2SA2151A-Y, 2SA2223, 2SB1162, 2SB1162-Q, 2SB1163, 2SB1163-Q, 2SB1361, 2SB1361-Q, 2SB1362, 2SB1362-Q, 2SB1429, 2SB688, 2SB778, 2SB816, 2SB816-D, 2SB817, 2SB817-D, 2SB863, FJA4210, KTA1943, KTA1943A, KTA1962, KTA1962A, KTB688, KTB688B, KTB778, KTB817, KTB817-O, KTB817B, KTB817B-O, MJW1302A, MJW1302AG oder NTE2329 ersetzen.
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