Bipolartransistor NTE2329

Elektrische Eigenschaften des Transistors NTE2329

  • Typ: PNP
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: -200 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: -200 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: -5 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -15 A
  • Verlustleistung, max: 150 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 55 bis 160
  • Übergangsfrequenz, min: 25 MHz
  • Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
  • Gehäuse: TO-3P
  • These Devices are Pb-Free and are RoHS Compliant

Pinbelegung des NTE2329

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Komplementärer NPN-Transistor

Der komplementäre NPN-Transistor zum NTE2329 ist der NTE2328.

Ersatz und Äquivalent für Transistor NTE2329

Sie können den Transistor NTE2329 durch einen 2SA1302, 2SA1943, 2SA1962, 2SA1986, 2SA2121, 2SA2151, 2SA2151A, 2SA2151A-O, 2SA2151A-P, 2SA2151A-Y, FJA4213, FJL4215, KTA1943, KTA1943A, KTA1962, KTA1962A, MJW1302A oder MJW1302AG ersetzen.
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