Bipolartransistor 2SB816-D

• Typ: PNP
• Kollektor-Emitter-Spannung, max: -120 V
• Kollektor-Basis-Spannung, max: -150 V
• Emitter-Basis-Spannung, max: -6 V
• Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -8 A
• Verlustleistung, max: 80 W
• Gleichstromverstärkung (h_fe): 60 bis 120
• Übergangsfrequenz, min: 15 MHz
• Lager- und Betriebstemperatur: -40 to +150 °C
• Gehäuse: TO-3P

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.Der Transistor 2SB816-D kann eine Gleichstromverstärkung von 60 bis 120 haben. Die Gleichstromverstärkung des 2SB816 liegt im Bereich von 60 bis 200, die des 2SB816-E im Bereich von 100 bis 200.Manchmal ist das Präfix "2S" nicht auf dem Gehäuse angegeben - der 2SB816-D-Transistor könnte nur mit "B816-D" gekennzeichnet sein.Der komplementäre NPN-Transistor zum 2SB816-D ist der 2SD1046-D.Sie können den Transistor 2SB816-D durch einen 2SA1093, 2SA1104, 2SA1105, 2SA1106, 2SA1146, 2SA1186, 2SA1264, 2SA1264-O, 2SA1264N, 2SA1264N-O, 2SA1265, 2SA1265-O, 2SA1294, 2SA1301, 2SA1302, 2SA1303, 2SA1386, 2SA1386A, 2SA1386A-O, 2SA1386A-P, 2SA1386A-Y, 2SA1490, 2SA1491, 2SA1492, 2SA1516, 2SA1633, 2SA1633-D, 2SA1694, 2SA1695, 2SA1788, 2SA1788-D, 2SA1804, 2SA1805, 2SA1940, 2SA1941, 2SA1942, 2SA1943, 2SA1986, 2SA2062, 2SA2063, 2SA2120, 2SA2121, 2SA2151, 2SA2151A, 2SA2151A-O, 2SA2151A-P, 2SA2151A-Y, 2SA2223, 2SB1162, 2SB1162-Q, 2SB1163, 2SB1163-Q, 2SB1361, 2SB1361-Q, 2SB1362, 2SB1362-Q, 2SB1429, 2SB688, 2SB778, 2SB817, 2SB817-D, 2SB863, 2SB966, 2SB966-R, FJA4210, KTA1943, KTA1943A, KTA1962, KTA1962A, KTB688, KTB688B, KTB778, KTB817, KTB817-O, KTB817B, KTB817B-O, MJW1302A, MJW1302AG oder NTE2329 ersetzen.