Elektrische Eigenschaften des Transistors 2SB966-Q
Typ: PNP
Kollektor-Emitter-Spannung, max: -120 V
Kollektor-Basis-Spannung, max: -120 V
Emitter-Basis-Spannung, max: -5 V
Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -8 A
Verlustleistung, max: 80 W
Gleichstromverstärkung (hfe): 100 bis 200
Übergangsfrequenz, min: 65 MHz
Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
Gehäuse: TO-3P
Pinbelegung des 2SB966-Q
Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.
Klassifizierung von hFE
Der Transistor 2SB966-Q kann eine Gleichstromverstärkung von 100 bis 200 haben. Die Gleichstromverstärkung des 2SB966 liegt im Bereich von 60 bis 320, die des 2SB966-P im Bereich von 160 bis 320, die des 2SB966-R im Bereich von 60 bis 120.
Kennzeichnung
Manchmal ist das Präfix "2S" nicht auf dem Gehäuse angegeben - der 2SB966-Q-Transistor könnte nur mit "B966-Q" gekennzeichnet sein.
Komplementärer NPN-Transistor
Der komplementäre NPN-Transistor zum 2SB966-Q ist der 2SD1289-Q.
