Bipolartransistor 2SB966-P

• Typ: PNP
• Kollektor-Emitter-Spannung, max: -120 V
• Kollektor-Basis-Spannung, max: -120 V
• Emitter-Basis-Spannung, max: -5 V
• Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -8 A
• Verlustleistung, max: 80 W
• Gleichstromverstärkung (h_fe): 160 bis 320
• Übergangsfrequenz, min: 65 MHz
• Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
• Gehäuse: TO-3P

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.Der Transistor 2SB966-P kann eine Gleichstromverstärkung von 160 bis 320 haben. Die Gleichstromverstärkung des 2SB966 liegt im Bereich von 60 bis 320, die des 2SB966-Q im Bereich von 100 bis 200, die des 2SB966-R im Bereich von 60 bis 120.Manchmal ist das Präfix "2S" nicht auf dem Gehäuse angegeben - der 2SB966-P-Transistor könnte nur mit "B966-P" gekennzeichnet sein.Der komplementäre NPN-Transistor zum 2SB966-P ist der 2SD1289-P.Sie können den Transistor 2SB966-P durch einen 2SA1106, 2SA1633, 2SA1633-F, 2SA1788 oder 2SA1788-F ersetzen.