Elektrische Eigenschaften des Transistors 2SB1361-P
Typ: PNP
Kollektor-Emitter-Spannung, max: -150 V
Kollektor-Basis-Spannung, max: -150 V
Emitter-Basis-Spannung, max: -5 V
Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -9 A
Verlustleistung, max: 100 W
Gleichstromverstärkung (hfe): 100 bis 200
Übergangsfrequenz, min: 15 MHz
Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
Gehäuse: TO-3P
Pinbelegung des 2SB1361-P
Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.
Klassifizierung von hFE
Der Transistor 2SB1361-P kann eine Gleichstromverstärkung von 100 bis 200 haben. Die Gleichstromverstärkung des 2SB1361 liegt im Bereich von 60 bis 200, die des 2SB1361-Q im Bereich von 60 bis 120, die des 2SB1361-S im Bereich von 80 bis 160.
Kennzeichnung
Manchmal ist das Präfix "2S" nicht auf dem Gehäuse angegeben - der 2SB1361-P-Transistor könnte nur mit "B1361-P" gekennzeichnet sein.
Komplementärer NPN-Transistor
Der komplementäre NPN-Transistor zum 2SB1361-P ist der 2SD2052-P.
