Bipolartransistor 2SB1163-P

Elektrische Eigenschaften des Transistors 2SB1163-P

  • Typ: PNP
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: -180 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: -180 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: -5 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -15 A
  • Verlustleistung, max: 150 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 100 bis 200
  • Übergangsfrequenz, min: 20 MHz
  • Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
  • Gehäuse: TO-3P

Pinbelegung des 2SB1163-P

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Klassifizierung von hFE

Der Transistor 2SB1163-P kann eine Gleichstromverstärkung von 100 bis 200 haben. Die Gleichstromverstärkung des 2SB1163 liegt im Bereich von 60 bis 200, die des 2SB1163-Q im Bereich von 60 bis 120, die des 2SB1163-S im Bereich von 80 bis 160.

Kennzeichnung

Manchmal ist das Präfix "2S" nicht auf dem Gehäuse angegeben - der 2SB1163-P-Transistor könnte nur mit "B1163-P" gekennzeichnet sein.

Komplementärer NPN-Transistor

Der komplementäre NPN-Transistor zum 2SB1163-P ist der 2SD1718-P.

Ersatz und Äquivalent für Transistor 2SB1163-P

Sie können den Transistor 2SB1163-P durch einen MJL4302A, MJL4302AG, MJW1302A oder MJW1302AG ersetzen.
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