Bipolartransistor 2SD1289-Q

• Typ: NPN
• Kollektor-Emitter-Spannung, max: 120 V
• Kollektor-Basis-Spannung, max: 120 V
• Emitter-Basis-Spannung, max: 5 V
• Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 8 A
• Verlustleistung, max: 80 W
• Gleichstromverstärkung (h_fe): 100 bis 200
• Übergangsfrequenz, min: 60 MHz
• Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
• Gehäuse: TO-3P

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.Der Transistor 2SD1289-Q kann eine Gleichstromverstärkung von 100 bis 200 haben. Die Gleichstromverstärkung des 2SD1289 liegt im Bereich von 60 bis 320, die des 2SD1289-P im Bereich von 160 bis 320, die des 2SD1289-R im Bereich von 60 bis 120.Manchmal ist das Präfix "2S" nicht auf dem Gehäuse angegeben - der 2SD1289-Q-Transistor könnte nur mit "D1289-Q" gekennzeichnet sein.Der komplementäre PNP-Transistor zum 2SD1289-Q ist der 2SB966-Q.Sie können den Transistor 2SD1289-Q durch einen 2SC2563, 2SC2579, 2SC2580, 2SC2581, 2SC2706, 2SC4278, 2SC4278-E, 2SC4652, 2SC4652-E, 2SD1046, 2SD1046-E, 2SD1047, 2SD1047-E, 2SD1047C, 2SD1717, 2SD1717-P, 2SD1718, 2SD1718-P, 2SD2052, 2SD2052-P, 2SD2053, 2SD2053-P, KTD1047, KTD1047-Y, KTD1047B, KTD1047B-Y, MJW3281A oder MJW3281AG ersetzen.