Elektrische Eigenschaften des Transistors 2SB1085A
Typ: PNP
Kollektor-Emitter-Spannung, max: -120 V
Kollektor-Basis-Spannung, max: -120 V
Emitter-Basis-Spannung, max: -5 V
Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -1.5 A
Verlustleistung, max: 20 W
Gleichstromverstärkung (hfe): 60 bis 200
Übergangsfrequenz, min: 50 MHz
Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
Gehäuse: TO-220
Pinbelegung des 2SB1085A
Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.
Klassifizierung von hFE
Der Transistor 2SB1085A kann eine Gleichstromverstärkung von 60 bis 200 haben. Die Gleichstromverstärkung des 2SB1085A-D liegt im Bereich von 60 bis 120, die des 2SB1085A-E im Bereich von 100 bis 200.
Kennzeichnung
Manchmal ist das Präfix "2S" nicht auf dem Gehäuse angegeben - der 2SB1085A-Transistor könnte nur mit "B1085A" gekennzeichnet sein.
Komplementärer NPN-Transistor
Der komplementäre NPN-Transistor zum 2SB1085A ist der 2SD1562A.
