Bipolartransistor 2SB1085

• Typ: PNP
• Kollektor-Emitter-Spannung, max: -120 V
• Kollektor-Basis-Spannung, max: -120 V
• Emitter-Basis-Spannung, max: -5 V
• Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -1.5 A
• Verlustleistung, max: 20 W
• Gleichstromverstärkung (h_fe): 60 bis 320
• Übergangsfrequenz, min: 50 MHz
• Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
• Gehäuse: TO-220

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.Der Transistor 2SB1085 kann eine Gleichstromverstärkung von 60 bis 320 haben. Die Gleichstromverstärkung des 2SB1085-D liegt im Bereich von 60 bis 120, die des 2SB1085-E im Bereich von 100 bis 200, die des 2SB1085-F im Bereich von 160 bis 320.Manchmal ist das Präfix "2S" nicht auf dem Gehäuse angegeben - der 2SB1085-Transistor könnte nur mit "B1085" gekennzeichnet sein.Der komplementäre NPN-Transistor zum 2SB1085 ist der 2SD1562.Sie können den Transistor 2SB1085 durch einen 2SA1006, 2SA1006A, 2SA1078, 2SA1667, 2SA1668, 2SA985, 2SA985A, 2SB547, BD956, BDT88, BDT88F, MJE15029, MJE15029G, MJE15031, MJE15031G, MJF15031 oder MJF15031G ersetzen.