Bipolartransistor 2SA1006

• Typ: PNP
• Kollektor-Emitter-Spannung, max: -180 V
• Kollektor-Basis-Spannung, max: -180 V
• Emitter-Basis-Spannung, max: -5 V
• Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -1.5 A
• Verlustleistung, max: 25 W
• Gleichstromverstärkung (h_fe): 60 bis 320
• Übergangsfrequenz, min: 80 MHz
• Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
• Gehäuse: TO-220

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.Der Transistor 2SA1006 kann eine Gleichstromverstärkung von 60 bis 320 haben. Die Gleichstromverstärkung des 2SA1006-P liegt im Bereich von 160 bis 320, die des 2SA1006-Q im Bereich von 100 bis 200, die des 2SA1006-R im Bereich von 60 bis 120.Manchmal ist das Präfix "2S" nicht auf dem Gehäuse angegeben - der 2SA1006-Transistor könnte nur mit "A1006" gekennzeichnet sein.Der komplementäre NPN-Transistor zum 2SA1006 ist der 2SC2336.Sie können den Transistor 2SA1006 durch einen 2SA1006A, 2SA1006B, 2SA1668, MJE15033, MJE15033G, MJE5850, MJE5850G, MJE5851 oder MJE5851G ersetzen.