Bipolartransistor 2SB559

• Typ: PNP
• Kollektor-Emitter-Spannung, max: -18 V
• Kollektor-Basis-Spannung, max: -20 V
• Emitter-Basis-Spannung, max: -5 V
• Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -1.2 A
• Verlustleistung, max: 8 W
• Gleichstromverstärkung (h_fe): 60 bis 320
• Übergangsfrequenz, min: 150 MHz
• Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
• Gehäuse: TO-126

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.Der Transistor 2SB559 kann eine Gleichstromverstärkung von 60 bis 320 haben. Die Gleichstromverstärkung des 2SB559-D liegt im Bereich von 60 bis 120, die des 2SB559-E im Bereich von 100 bis 200, die des 2SB559-F im Bereich von 160 bis 320.Manchmal ist das Präfix "2S" nicht auf dem Gehäuse angegeben - der 2SB559-Transistor könnte nur mit "B559" gekennzeichnet sein.Der komplementäre NPN-Transistor zum 2SB559 ist der 2SD439.Sie können den Transistor 2SB559 durch einen 2SA715, 2SA738, 2SB743, 2SB772, BD186, KSB772, KSH772 oder MJE370 ersetzen.