Bipolartransistor 2SA1029C

Elektrische Eigenschaften des Transistors 2SA1029C

  • Typ: PNP
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: -30 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: -30 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: -5 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -0.1 A
  • Verlustleistung, max: 0.3 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 160 bis 320
  • Übergangsfrequenz, min: 230 MHz
  • Rauschzahl, max: 4 dB
  • Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
  • Gehäuse: TO-92

Pinbelegung des 2SA1029C

Der 2SA1029C wird in einem TO-92-Gehäuse aus Kunststoff hergestellt. Betrachtet man die flache Seite mit den Leitungen nach unten, so sind die drei aus dem Transistor austretenden Leitungen, von links nach rechts,
Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Klassifizierung von hFE

Der Transistor 2SA1029C kann eine Gleichstromverstärkung von 160 bis 320 haben. Die Gleichstromverstärkung des 2SA1029 liegt im Bereich von 100 bis 500, die des 2SA1029B im Bereich von 100 bis 200, die des 2SA1029D im Bereich von 250 bis 500.

Kennzeichnung

Manchmal ist das Präfix "2S" nicht auf dem Gehäuse angegeben - der 2SA1029C-Transistor könnte nur mit "A1029C" gekennzeichnet sein.

SMD-Version des Transistors 2SA1029C

Der BC858 (SOT-23), BC858W (SOT-323), BC859 (SOT-23) und BC859W (SOT-323) ist die SMD-Version des 2SA1029C-Transistors.

Ersatz und Äquivalent für Transistor 2SA1029C

Sie können den Transistor 2SA1029C durch einen 2SA1030 oder 2SA1030C ersetzen.
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