Bipolartransistor 2SA1030

• Typ: PNP
• Kollektor-Emitter-Spannung, max: -50 V
• Kollektor-Basis-Spannung, max: -55 V
• Emitter-Basis-Spannung, max: -5 V
• Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -0.1 A
• Verlustleistung, max: 0.3 W
• Gleichstromverstärkung (h_fe): 100 bis 320
• Übergangsfrequenz, min: 230 MHz
• Rauschzahl, max: 4 dB
• Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
• Gehäuse: TO-92

Der 2SA1030 wird in einem TO-92-Gehäuse aus Kunststoff hergestellt. Betrachtet man die flache Seite mit den Leitungen nach unten, so sind die drei aus dem Transistor austretenden Leitungen, von links nach rechts,
Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.Der Transistor 2SA1030 kann eine Gleichstromverstärkung von 100 bis 320 haben. Die Gleichstromverstärkung des 2SA1030B liegt im Bereich von 100 bis 200, die des 2SA1030C im Bereich von 160 bis 320.Manchmal ist das Präfix "2S" nicht auf dem Gehäuse angegeben - der 2SA1030-Transistor könnte nur mit "A1030" gekennzeichnet sein.Der komplementäre NPN-Transistor zum 2SA1030 ist der 2SC2308.Der 2SA812 (SOT-23) und KSA812 (SOT-23) ist die SMD-Version des 2SA1030-Transistors.