Bipolartransistor 2SA1029

• Typ: PNP
• Kollektor-Emitter-Spannung, max: -30 V
• Kollektor-Basis-Spannung, max: -30 V
• Emitter-Basis-Spannung, max: -5 V
• Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -0.1 A
• Verlustleistung, max: 0.3 W
• Gleichstromverstärkung (h_fe): 100 bis 500
• Übergangsfrequenz, min: 230 MHz
• Rauschzahl, max: 4 dB
• Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
• Gehäuse: TO-92

Der 2SA1029 wird in einem TO-92-Gehäuse aus Kunststoff hergestellt. Betrachtet man die flache Seite mit den Leitungen nach unten, so sind die drei aus dem Transistor austretenden Leitungen, von links nach rechts,
Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.Der Transistor 2SA1029 kann eine Gleichstromverstärkung von 100 bis 500 haben. Die Gleichstromverstärkung des 2SA1029B liegt im Bereich von 100 bis 200, die des 2SA1029C im Bereich von 160 bis 320, die des 2SA1029D im Bereich von 250 bis 500.Manchmal ist das Präfix "2S" nicht auf dem Gehäuse angegeben - der 2SA1029-Transistor könnte nur mit "A1029" gekennzeichnet sein.