Bipolartransistor 2SA1029B
Elektrische Eigenschaften des Transistors 2SA1029B
- Typ: PNP
- Kollektor-Emitter-Spannung, max: -30 V
- Kollektor-Basis-Spannung, max: -30 V
- Emitter-Basis-Spannung, max: -5 V
- Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -0.1 A
- Verlustleistung, max: 0.3 W
- Gleichstromverstärkung (hfe): 100 bis 200
- Übergangsfrequenz, min: 230 MHz
- Rauschzahl, max: 4 dB
- Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
- Gehäuse: TO-92
Pinbelegung des 2SA1029B
Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.
Klassifizierung von hFE
Kennzeichnung
Ersatz und Äquivalent für Transistor 2SA1029B
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