Transistor bipolaire MPSW51

Caractéristiques électriques du transistor MPSW51

  • Type de transistor: PNP
  • Tension collecteur-émetteur maximum: -30 V
  • Tension collecteur-base maximum: -40 V
  • Tension émetteur-base maximum: -5 V
  • Courant collecteur continu maximum: -1 A
  • Dissipation de puissance maximum: 1 W
  • Gain de courant (hfe): 60
  • Fréquence de transition minimum: 50 MHz
  • Température de stockage et de fonctionnement: -55 to +150 °C
  • Boîtier: TO-92

Brochage du MPSW51

Le MPSW51 est fabriqué dans un boîtier plastique TO-92. Lorsque l'on regarde le côté plat avec les fils dirigés vers le bas, les trois fils sortant du transistor sont, de gauche à droite, l'émetteur, la base et le collecteur.
Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.

Complémentaire du transistor MPSW51

Le transistor NPN complémentaire du MPSW51 est le MPSW01.

Version SMD du transistor MPSW51

Le 2SA1036 (SOT-23), 2SA1036-P (SOT-23), 2SA1036-Q (SOT-23), 2SA1036-R (SOT-23), BCW67 (SOT-23), BCW67A (SOT-23), BCW67B (SOT-23) et BCW67C (SOT-23) est la version SMD du transistor MPSW51.

Substituts et équivalents pour le transistor MPSW51

Vous pouvez remplacer le transistor MPSW51 par BC527-10, BC527-16, BC527-25, MPS4355, MPS750, MPS750G, MPS751, MPS751G, MPSW51A, MPSW51AG, MPSW51G, MPSW63, MPSW64, ZTX549, ZTX550, ZTX790A, ZTX949 ou ZTX951.

Version sans plomb

Le transistor MPSW51G est la version sans plomb du MPSW51.
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