Transistor bipolaire BCW67B

Caractéristiques électriques du transistor BCW67B

  • Type de transistor: PNP
  • Tension collecteur-émetteur maximum: -32 V
  • Tension collecteur-base maximum: -45 V
  • Tension émetteur-base maximum: -5 V
  • Courant collecteur continu maximum: -0.8 A
  • Dissipation de puissance maximum: 0.35 W
  • Gain de courant (hfe): 160 à 400
  • Fréquence de transition minimum: 100 MHz
  • Température de stockage et de fonctionnement: -65 to +150 °C
  • Boîtier: SOT-23

Brochage du BCW67B

Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.

Classification de hFE

Le transistor BCW67B peut avoir un gain en courant continu de 160 à 400. Le gain en courant continu du BCW67 est compris entre 100 à 630, celui du BCW67A entre 100 à 250, celui du BCW67C entre 250 à 630.

Complémentaire du transistor BCW67B

Le transistor NPN complémentaire du BCW67B est le BCW65B.

Substituts et équivalents pour le transistor BCW67B

Vous pouvez remplacer le transistor BCW67B par BCW68, BCW68G, MMBT4354 ou MMBT4355.
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