Transistor bipolaire MPSW64

Caractéristiques électriques du transistor MPSW64

  • Type de transistor: PNP
  • Tension collecteur-émetteur maximum: -30 V
  • Tension collecteur-base maximum: -30 V
  • Tension émetteur-base maximum: -10 V
  • Courant collecteur continu maximum: -1 A
  • Dissipation de puissance maximum: 1 W
  • Gain de courant (hfe): 20000
  • Fréquence de transition minimum: 125 MHz
  • Température de stockage et de fonctionnement: -55 to +150 °C
  • Boîtier: TO-92

Brochage du MPSW64

Le MPSW64 est fabriqué dans un boîtier plastique TO-92. Lorsque l'on regarde le côté plat avec les fils dirigés vers le bas, les trois fils sortant du transistor sont, de gauche à droite, l'émetteur, la base et le collecteur.
Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.

Complémentaire du transistor MPSW64

Le transistor NPN complémentaire du MPSW64 est le MPSW14.

Version SMD du transistor MPSW64

Le MMBTA65 (SOT-23) et PZTA65 (SOT-223) est la version SMD du transistor MPSW64.
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