Transistor bipolaire BCW67

Caractéristiques électriques du transistor BCW67

  • Type de transistor: PNP
  • Tension collecteur-émetteur maximum: -32 V
  • Tension collecteur-base maximum: -45 V
  • Tension émetteur-base maximum: -5 V
  • Courant collecteur continu maximum: -0.8 A
  • Dissipation de puissance maximum: 0.35 W
  • Gain de courant (hfe): 100 à 630
  • Fréquence de transition minimum: 100 MHz
  • Température de stockage et de fonctionnement: -65 to +150 °C
  • Boîtier: SOT-23

Brochage du BCW67

Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.

Classification de hFE

Le transistor BCW67 peut avoir un gain en courant continu de 100 à 630. Le gain en courant continu du BCW67A est compris entre 100 à 250, celui du BCW67B entre 160 à 400, celui du BCW67C entre 250 à 630.

Complémentaire du transistor BCW67

Le transistor NPN complémentaire du BCW67 est le BCW65.

Substituts et équivalents pour le transistor BCW67

Vous pouvez remplacer le transistor BCW67 par BCW68.
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