Caractéristiques électriques du transistor KTB988GR
Type de transistor: PNP
Tension collecteur-émetteur maximum: -60 V
Tension collecteur-base maximum: -60 V
Tension émetteur-base maximum: -7 V
Courant collecteur continu maximum: -3 A
Dissipation de puissance maximum: 30 W
Gain de courant (hfe): 150 à 300
Fréquence de transition minimum: 9 MHz
Température de stockage et de fonctionnement: -55 to +150 °C
Boîtier: TO-220
Brochage du KTB988GR
Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.
Classification de hFE
Le transistor KTB988GR peut avoir un gain en courant continu de 150 à 300. Le gain en courant continu du KTB988 est compris entre 60 à 300, celui du KTB988O entre 60 à 120, celui du KTB988Y entre 100 à 200.
Complémentaire du transistor KTB988GR
Le transistor NPN complémentaire du KTB988GR est le KTD1351GR.
Version SMD du transistor KTB988GR
Le BDP950 (SOT-223) est la version SMD du transistor KTB988GR.
Substituts et équivalents pour le transistor KTB988GR