Transistor bipolaire KTB988GR

Caractéristiques électriques du transistor KTB988GR

  • Type de transistor: PNP
  • Tension collecteur-émetteur maximum: -60 V
  • Tension collecteur-base maximum: -60 V
  • Tension émetteur-base maximum: -7 V
  • Courant collecteur continu maximum: -3 A
  • Dissipation de puissance maximum: 30 W
  • Gain de courant (hfe): 150 à 300
  • Fréquence de transition minimum: 9 MHz
  • Température de stockage et de fonctionnement: -55 to +150 °C
  • Boîtier: TO-220

Brochage du KTB988GR

Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.

Classification de hFE

Le transistor KTB988GR peut avoir un gain en courant continu de 150 à 300. Le gain en courant continu du KTB988 est compris entre 60 à 300, celui du KTB988O entre 60 à 120, celui du KTB988Y entre 100 à 200.

Complémentaire du transistor KTB988GR

Le transistor NPN complémentaire du KTB988GR est le KTD1351GR.

Version SMD du transistor KTB988GR

Le BDP950 (SOT-223) est la version SMD du transistor KTB988GR.

Substituts et équivalents pour le transistor KTB988GR

Vous pouvez remplacer le transistor KTB988GR par 2SA1262, 2SA1488, 2SA1488A, 2SA1634, 2SA1635, 2SA1742, 2SA1742-L, 2SA1743, 2SA1743-L, 2SA1744, 2SA1744-L, 2SA770, 2SA771, 2SB1187, 2SB1375, 2SB1565, 2SB507, 2SB633, 2SB834, 2SB834GR, 2SB858, BD204, BD242A, BD242B, BD242C, BD244A, BD244B, BD244C, BD304, BD536, BD538, BD540A, BD540B, BD540C, BD544A, BD544B, BD544C, BD546A, BD546B, BD546C, BD798, BD800, BD802, BD808, BD810, BD950, BD952, BD954, BD956, BDT82, BDT82F, BDT84, BDT84F, BDT86, BDT86F, BDT88, BDT88F, BDX78, D44C10, D44C11, D44C12, D44C7, D44C8, D44C9, D45C10, D45C11, D45C12, D45C7, D45C8, D45C9, D45H11, D45H11FP, D45H8, KSB1366, KSB1366-G, KTA1036, KTA1036-GR, KTA1046GR, MJE15029 ou MJE15029G.
Si vous trouvez une erreur, veuillez envoyer un e-mail à mail@el-component.com