Transistor bipolaire KTB1369Y

Caractéristiques électriques du transistor KTB1369Y

  • Type de transistor: PNP
  • Tension collecteur-émetteur maximum: -180 V
  • Tension collecteur-base maximum: -200 V
  • Tension émetteur-base maximum: -5 V
  • Courant collecteur continu maximum: -2 A
  • Dissipation de puissance maximum: 20 W
  • Gain de courant (hfe): 120 à 240
  • Fréquence de transition minimum: 100 MHz
  • Température de stockage et de fonctionnement: -55 to +150 °C
  • Boîtier: TO-220F

Brochage du KTB1369Y

Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.

Classification de hFE

Le transistor KTB1369Y peut avoir un gain en courant continu de 120 à 240. Le gain en courant continu du KTB1369 est compris entre 70 à 240, celui du KTB1369O entre 70 à 140.

Complémentaire du transistor KTB1369Y

Le transistor NPN complémentaire du KTB1369Y est le KTD2061Y.

Substituts et équivalents pour le transistor KTB1369Y

Vous pouvez remplacer le transistor KTB1369Y par 2SA1668, 2SA1859A, 2SA1930, 2SB940A, 2SB940A-P, MJE15033, MJE15033G, MJE15035, MJE15035G, MJE5850, MJE5850G, MJE5851 ou MJE5851G.
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