Transistor bipolaire KSB985-R

Caractéristiques électriques du transistor KSB985-R

  • Type de transistor: NPN
  • Tension collecteur-émetteur maximum: 60 V
  • Tension collecteur-base maximum: 150 V
  • Tension émetteur-base maximum: 8 V
  • Courant collecteur continu maximum: 1.5 A
  • Dissipation de puissance maximum: 10 W
  • Gain de courant (hfe): 2000 à 5000
  • Température de stockage et de fonctionnement: -55 to +150 °C
  • Boîtier: TO-126
  • Electrically Similar to the Popular 2SD985-M transistor

Brochage du KSB985-R

Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.

Classification de hFE

Le transistor KSB985-R peut avoir un gain en courant continu de 2000 à 5000. Le gain en courant continu du KSB985 est compris entre 2000 à 30000, celui du KSB985-O entre 4000 à 10000, celui du KSB985-Y entre 8000 à 30000.

Complémentaire du transistor KSB985-R

Le transistor PNP complémentaire du KSB985-R est le KSB794-R.

Substituts et équivalents pour le transistor KSB985-R

Vous pouvez remplacer le transistor KSB985-R par 2N6038, 2N6038G, 2N6039, 2N6039G, 2SD1509, 2SD1692, 2SD1692-M, 2SD985, 2SD985-M, 2SD986, 2SD986-M, BD167, BD169, BD189, BD235, BD235G, BD237, BD237G, BD677, BD677A, BD677AG, BD677G, BD679, BD679A, BD679AG, BD679G, BD681, BD681G, BD777, BD779, KSB986, KSB986-R, KSD1692, KSD1692-O, KSE800, KSE801, KSE802, KSE803, MJE225, MJE242, MJE244, MJE270, MJE270G, MJE721, MJE722, MJE800, MJE800G, MJE801, MJE801G, MJE802, MJE802G, MJE803 ou MJE803G.
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