Transistor bipolaire KSD1692-O

Caractéristiques électriques du transistor KSD1692-O

  • Type de transistor: NPN
  • Tension collecteur-émetteur maximum: 100 V
  • Tension collecteur-base maximum: 150 V
  • Tension émetteur-base maximum: 8 V
  • Courant collecteur continu maximum: 3 A
  • Dissipation de puissance maximum: 15 W
  • Gain de courant (hfe): 2000 à 5000
  • Température de stockage et de fonctionnement: -55 to +150 °C
  • Boîtier: TO-126
  • Electrically Similar to the Popular 2SD1692-M transistor

Brochage du KSD1692-O

Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.

Classification de hFE

Le transistor KSD1692-O peut avoir un gain en courant continu de 2000 à 5000. Le gain en courant continu du KSD1692 est compris entre 2000 à 20000, celui du KSD1692-G entre 8000 à 20000, celui du KSD1692-Y entre 4000 à 10000.

Substituts et équivalents pour le transistor KSD1692-O

Vous pouvez remplacer le transistor KSD1692-O par 2SD1692, 2SD1692-M, BD681, BD681G ou MJE244.
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