Transistor bipolaire BD677

Caractéristiques électriques du transistor BD677

  • Type de transistor: NPN
  • Tension collecteur-émetteur maximum: 60 V
  • Tension collecteur-base maximum: 60 V
  • Tension émetteur-base maximum: 5 V
  • Courant collecteur continu maximum: 4 A
  • Dissipation de puissance maximum: 40 W
  • Gain de courant (hfe): 750
  • Température de stockage et de fonctionnement: -65 to +150 °C
  • Boîtier: TO-126
  • Electrically Similar to the Popular MJE800 transistor

Brochage du BD677

Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.

Equivalent circuit

BD677 equivalent circuit

Complémentaire du transistor BD677

Le transistor PNP complémentaire du BD677 est le BD678.

Substituts et équivalents pour le transistor BD677

Vous pouvez remplacer le transistor BD677 par 2N6038, 2N6038G, 2N6039, 2N6039G, BD677A, BD677AG, BD677G, BD679, BD679A, BD679AG, BD679G, BD681, BD681G, BD777, BD779, KSE800, KSE801, KSE802, KSE803, MJE800, MJE800G, MJE801, MJE801G, MJE802, MJE802G, MJE803 ou MJE803G.

Version sans plomb

Le transistor BD677G est la version sans plomb du BD677.
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