Transistor bipolaire KSB986-R
Caractéristiques électriques du transistor KSB986-R
- Type de transistor: NPN
- Tension collecteur-émetteur maximum: 80 V
- Tension collecteur-base maximum: 150 V
- Tension émetteur-base maximum: 8 V
- Courant collecteur continu maximum: 1.5 A
- Dissipation de puissance maximum: 10 W
- Gain de courant (hfe): 2000 à 5000
- Température de stockage et de fonctionnement: -55 to +150 °C
- Boîtier: TO-126
- Electrically Similar to the Popular 2SD986-M transistor
Brochage du KSB986-R
Classification de hFE
Complémentaire du transistor KSB986-R
Substituts et équivalents pour le transistor KSB986-R
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