Transistor bipolaire 2SD985

Caractéristiques électriques du transistor 2SD985

  • Type de transistor: NPN
  • Tension collecteur-émetteur maximum: 60 V
  • Tension collecteur-base maximum: 150 V
  • Tension émetteur-base maximum: 8 V
  • Courant collecteur continu maximum: 1.5 A
  • Dissipation de puissance maximum: 10 W
  • Gain de courant (hfe): 2000 à 30000
  • Température de stockage et de fonctionnement: -55 to +150 °C
  • Boîtier: TO-126

Brochage du 2SD985

Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.

Classification de hFE

Le transistor 2SD985 peut avoir un gain en courant continu de 2000 à 30000. Le gain en courant continu du 2SD985-K est compris entre 8000 à 30000, celui du 2SD985-L entre 4000 à 10000, celui du 2SD985-M entre 2000 à 5000.

Marquage

Parfois, le préfixe "2S" n'est pas marqué sur l'emballage - le transistor 2SD985 peut n'être marqué que D985.

Complémentaire du transistor 2SD985

Le transistor PNP complémentaire du 2SD985 est le 2SB794.

Substituts et équivalents pour le transistor 2SD985

Vous pouvez remplacer le transistor 2SD985 par 2SD1509, 2SD986, BD167, BD169, BD189, BD235, BD235G, BD237, BD237G, BD677, BD677A, BD677AG, BD677G, BD679, BD679A, BD679AG, BD679G, BD681, BD681G, BD777, BD779, KSB985, KSB986, KSE800, KSE801, KSE802, KSE803, MJE225, MJE242, MJE244, MJE270, MJE270G, MJE721, MJE722, MJE800, MJE800G, MJE801, MJE801G, MJE802, MJE802G, MJE803 ou MJE803G.
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