Transistor bipolaire 2SD1509

Caractéristiques électriques du transistor 2SD1509

  • Type de transistor: NPN
  • Tension collecteur-émetteur maximum: 80 V
  • Tension collecteur-base maximum: 80 V
  • Tension émetteur-base maximum: 8 V
  • Courant collecteur continu maximum: 2 A
  • Dissipation de puissance maximum: 10 W
  • Gain de courant (hfe): 2000
  • Fréquence de transition minimum: 100 MHz
  • Température de stockage et de fonctionnement: -55 to +150 °C
  • Boîtier: TO-126

Brochage du 2SD1509

Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.

Marquage

Parfois, le préfixe "2S" n'est pas marqué sur l'emballage - le transistor 2SD1509 peut n'être marqué que D1509.

Complémentaire du transistor 2SD1509

Le transistor PNP complémentaire du 2SD1509 est le 2SB1067.

Substituts et équivalents pour le transistor 2SD1509

Vous pouvez remplacer le transistor 2SD1509 par 2SD1692, 2SD1692-K, 2SD1692-L, 2SD1692-M, KSD1692, KSD1692-G, KSD1692-O ou KSD1692-Y.
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