Transistor bipolaire KSB1151-G

• Type de transistor: PNP
• Tension collecteur-émetteur maximum: -60 V
• Tension collecteur-base maximum: -60 V
• Tension émetteur-base maximum: -7 V
• Courant collecteur continu maximum: -5 A
• Dissipation de puissance maximum: 20 W
• Gain de courant (h_fe): 200 à 400
• Température de stockage et de fonctionnement: -55 to +150 °C
• Boîtier: TO-126
• Electrically Similar to the Popular 2SB1151-K transistor

Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.Le transistor KSB1151-G peut avoir un gain en courant continu de 200 à 400. Le gain en courant continu du KSB1151 est compris entre 100 à 400, celui du KSB1151-O entre 100 à 200, celui du KSB1151-Y entre 160 à 320.Le transistor NPN complémentaire du KSB1151-G est le KSD1691-G.Le 2STF2360 (SOT-89), 2STN2360 (SOT-223) et BDP950 (SOT-223) est la version SMD du transistor KSB1151-G.Vous pouvez remplacer le transistor KSB1151-G par 2SB1151, 2SB1151-K, KTB1151 ou KTB1151-Y.