Transistor bipolaire 2SB1151-K

Caractéristiques électriques du transistor 2SB1151-K

  • Type de transistor: PNP
  • Tension collecteur-émetteur maximum: -60 V
  • Tension collecteur-base maximum: -60 V
  • Tension émetteur-base maximum: -7 V
  • Courant collecteur continu maximum: -5 A
  • Dissipation de puissance maximum: 20 W
  • Gain de courant (hfe): 200 à 400
  • Température de stockage et de fonctionnement: -55 to +150 °C
  • Boîtier: TO-126

Brochage du 2SB1151-K

Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.

Classification de hFE

Le transistor 2SB1151-K peut avoir un gain en courant continu de 200 à 400. Le gain en courant continu du 2SB1151 est compris entre 100 à 400, celui du 2SB1151-L entre 160 à 320, celui du 2SB1151-M entre 100 à 200.

Marquage

Parfois, le préfixe "2S" n'est pas marqué sur l'emballage - le transistor 2SB1151-K peut n'être marqué que B1151-K.

Complémentaire du transistor 2SB1151-K

Le transistor NPN complémentaire du 2SB1151-K est le 2SD1691-K.

Version SMD du transistor 2SB1151-K

Le 2STF2360 (SOT-89), 2STN2360 (SOT-223) et BDP950 (SOT-223) est la version SMD du transistor 2SB1151-K.

Substituts et équivalents pour le transistor 2SB1151-K

Vous pouvez remplacer le transistor 2SB1151-K par KSB1151, KSB1151-G, KTB1151 ou KTB1151-Y.
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