Transistor bipolaire KSD1691-G

Caractéristiques électriques du transistor KSD1691-G

  • Type de transistor: NPN
  • Tension collecteur-émetteur maximum: 60 V
  • Tension collecteur-base maximum: 60 V
  • Tension émetteur-base maximum: 7 V
  • Courant collecteur continu maximum: 5 A
  • Dissipation de puissance maximum: 20 W
  • Gain de courant (hfe): 200 à 400
  • Température de stockage et de fonctionnement: -55 to +150 °C
  • Boîtier: TO-126
  • Electrically Similar to the Popular 2SD1691-K transistor

Brochage du KSD1691-G

Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.

Classification de hFE

Le transistor KSD1691-G peut avoir un gain en courant continu de 200 à 400. Le gain en courant continu du KSD1691 est compris entre 100 à 400, celui du KSD1691-O entre 100 à 200, celui du KSD1691-Y entre 160 à 320.

Complémentaire du transistor KSD1691-G

Le transistor PNP complémentaire du KSD1691-G est le KSB1151-G.

Version SMD du transistor KSD1691-G

Le BDP949 (SOT-223) est la version SMD du transistor KSD1691-G.

Substituts et équivalents pour le transistor KSD1691-G

Vous pouvez remplacer le transistor KSD1691-G par 2SD1691, 2SD1691-K, KTD1691 ou KTD1691-Y.
Si vous trouvez une erreur, veuillez envoyer un e-mail à mail@el-component.com