Transistor bipolaire KSD1691-G
Caractéristiques électriques du transistor KSD1691-G
- Type de transistor: NPN
- Tension collecteur-émetteur maximum: 60 V
- Tension collecteur-base maximum: 60 V
- Tension émetteur-base maximum: 7 V
- Courant collecteur continu maximum: 5 A
- Dissipation de puissance maximum: 20 W
- Gain de courant (hfe): 200 à 400
- Température de stockage et de fonctionnement: -55 to +150 °C
- Boîtier: TO-126
- Electrically Similar to the Popular 2SD1691-K transistor
Brochage du KSD1691-G
Classification de hFE
Complémentaire du transistor KSD1691-G
Version SMD du transistor KSD1691-G
Substituts et équivalents pour le transistor KSD1691-G
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