Transistor bipolaire PN200

• Type de transistor: PNP
• Tension collecteur-émetteur maximum: -45 V
• Tension collecteur-base maximum: -75 V
• Tension émetteur-base maximum: -6 V
• Courant collecteur continu maximum: -0.5 A
• Dissipation de puissance maximum: 0.625 W
• Gain de courant (h_fe): 100 à 450
• Fréquence de transition minimum: 250 MHz
• Figure de bruit maximum: 5 dB
• Température de stockage et de fonctionnement: -65 to +150 °C
• Boîtier: TO-92

Le PN200 est fabriqué dans un boîtier plastique TO-92. Lorsque l'on regarde le côté plat avec les fils dirigés vers le bas, les trois fils sortant du transistor sont, de gauche à droite, l'émetteur, la base et le collecteur.
Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.Le transistor NPN complémentaire du PN200 est le PN100.Le MMBT200 (SOT-23) est la version SMD du transistor PN200.Vous pouvez remplacer le transistor PN200 par KSP55, KSP56, MPS4354, MPS751, MPS751G, MPSA55, MPSA55G, MPSA56, MPSA56G, MPSW55, MPSW55G, MPSW56, MPSW56G ou PN4354.